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IXFN100N65X2

Name: IXYS IXFN100N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN100N65X2
Price: 33.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN100N65X2

Herst.- Nr.:

IXFN100N65X2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 650V/78A miniBLOC SOT-227

Datenblatt:

IXFN100N65X2 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	78 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	595 W
Serie:	650V Ultra Junction X2
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	26 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Vr - Sperrspannung:	100 V
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN100N65X2 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Ladelösungen für Elektrofahrzeuge

Die EV-(Elektrofahrzeug)-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind. Off-Board-EV-Ladestationen arbeiten in rauen Umgebungen, die extremer Hitze, Kälte, Regen, Schnee und Blitzschlägen ausgesetzt sind. Produkte von Littelfuse schützen gegen diese Gefahren und reduzieren das Risiko von Fehlern.

Wärmepumpen

Littelfuse bietet ein großes Portfolio an Bauelementen für Wärmepumpen, einschließlich Sicherungen, TVS-Dioden, Gate-Treiber und mehr. Der Markt für Wärmepumpen wächst schnell, angetrieben von Regierungsinitiativen zur Reduzierung von Treibhausgasemissionen und steigenden Energiekosten. Da Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern, können Wärmepumpen nun unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden. Erfahren Sie, wie die Technologien von Littelfuse Wärmepumpen sicherer, zuverlässiger und energieeffizienter machen. Wärmepumpen können unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden, da die Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern. Diese Bauelemente eignen sich für verschiedene Applikationen, beispielsweise Energiemanagement, Sicherheitssysteme, HLK-Systeme, Rauchmelder und IoT-gesteuerte Haushaltsgeräte. Littelfuse bietet Schutz-, Steuerungs- und Sensortechnologien zur Verbesserung der Sicherheit, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Gebäuden.

Intelligente Steckdosenlösungen

Die Bauelemente für die intelligenten Steckdosenlösungen von Littelfuse umfassen intelligente Steckdosen und Lichtdimmer, die über Apps oder virtuell gesteuert werden. Die Produktlinie der intelligenten Steckdosenapplikationen von Littelfuse umfasst PICO®II 473 Slo-Blo ® -Sicherungen, UltraMOV 14-mm-Varistoren, SJ SCR Schaltthyristoren, Thyristor-TRIACs, IX4340 Gate-Treiber und 650-V-X2-MOSFETs. Die intelligenten Steckdosenstecker lassen sich direkt in herkömmliche Steckdosen stecken oder dienen als deren Ersatz und ermöglichen die Steuerung der angeschlossenen Komponenten über eine App oder virtuell. Darüber hinaus können die Smart-Lichtdimmer ferngesteuert werden. Anstatt Energie von der Glühbirne in einen Widerstand umzuleiten, wird die moderne Glühbirnen-Schaltung mehrmals pro Sekunde rund um die Schwankung des Haushalt-Wechselstroms für eine bessere Energieeffizienz ausgeschaltet.

HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse

Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS_(ON) und geringem Q_G. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
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Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

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Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™

Die Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™ von IXYS sind für hocheffiziente und schnelle Leistungsschaltapplikationen konzipiert. Die Ultra-Junction-MOSFETs der X2-Klasse bieten eine geringe Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode. Diese MOSFETs sind in vielen Standard-Industriegehäusen, einschließlich isolierter Typen, erhältlich. Typische Anwendungsfälle sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, DC/DC-Wandler, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik und Servosteuerungen.

Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Q_g in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.