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IXFN120N65X2

Name: IXYS IXFN120N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN120N65X2
Price: 35.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN120N65X2

Herst.- Nr.:

IXFN120N65X2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 650V/108A Ultra Junction X2-Class

Datenblatt:

IXFN120N65X2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	108 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 W
Serie:	650V Ultra Junction X2
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	23 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	86 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	64 ns
Vr - Sperrspannung:	100 V
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN120N65X2 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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