IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 47.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN210N30P3

Herst.- Nr.:

IXFN210N30P3

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	192 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 kW
Serie:	IXFN210N30
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	94 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	46 ns
Gewicht pro Stück:	30 g