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IXFN52N90P

Name: IXYS IXFN52N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN52N90P
Price: 37.2 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN52N90P

Herst.- Nr.:

IXFN52N90P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Datenblatt:

IXFN52N90P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Id - Drain-Gleichstrom:	43 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	160 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 W
Serie:	IXFN52N90
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	42 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	80 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	Polar Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	95 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	63 ns
Gewicht pro Stück:	38 g

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Datenblatt

IXFN52N90P Datenblatt

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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