Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFN80N50P

Name: IXYS IXFN80N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN80N50P
Price: 30.78 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN80N50P

Herst.- Nr.:

IXFN80N50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 500V 66A

Datenblatt:

IXFN80N50P Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFN80N50P

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 299

erwartet ab 07.09.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 22

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 30.78	CHF 30.78
	CHF 24.82	CHF 248.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	66 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 W
Serie:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	18 ns
Höhe:	9.6 mm
Länge:	38.2 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	27 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Breite:	25.07 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFN80N50P Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8504409190
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme (Unmanned Aerial Vehicle) von Littelfuse bieten Lösungen für den Schutz von Lithium-Ionen-Akkus, Akkuladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme verfügen über Sicherungen zum Schutz des Eingangs bzw. zum Überstromschutz, MOSFETs zur Halbleiterschaltung sowie TVS-Dioden zum Schutz des DC-Ausgangs vor Transienten und Überspannungen. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten einen Batterieschutz für Spannungen > 60 V und verfügen über eine Fehlerisolierung für die Hauptbatterie, eine Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Unterstützung der Vorladung) sowie einen Überstromschutz für die Abzweigstromkreise. Typische Applikationen umfassen Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Liefer- und Logistikwesen, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) von Littelfuse bieten Lösungen für die Leistungsumwandlung und den DC-Bus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Bodenstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Leistungsumwandlung und verfügen über einen DC-Bus mit einer Gleichrichterdiode, die die AC-Netzspannung in DC umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Applikationen sind Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär sowie Grenzüberwachung.

Drohnen-Subsysteme

Die Drohnen-Subsysteme von Littelfuse bieten Lösungen für USB-C-PD- und Lithium-Ionen-Akkuladegeräte, Akkusysteme und BLDC-Motoren. Diese Subsysteme bieten Sicherungen für verschiedene Funktionen, darunter Überstromschutz und Fehlerisolierung für den Wechselstromeingang sowie Schutz für den Akku, den nachgeschalteten Controller, das Akkupack, die Verkabelung und den Controller. Die Drohnen-Subsysteme bieten TVS-Dioden zur Unterdrückung von Schalttransienten auf der Primärseite sowie einen Überspannungsschutz für die Messleitungs-Eingänge der Zellenüberwachungs-ICs. Diese Subsysteme eignen sich für verschiedene Drohnen, darunter Spielzeugdrohnen, Kameradrohnen, First-Person-View-Drohnen (FPV), Drohnen für den Unternehmens- und Industriebereich, Drohnen für Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Inspektions- und Kartierungsdrohnen, Drohnen für die Landwirtschaft sowie Schwerlastdrohnen. Typische Applikationen umfassen Liefer- und Logistikwesen, öffentliche Sicherheit, Grenzüberwachung und Militär.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.