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IXFP5N50P3

Name: IXYS IXFP5N50P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP5N50P3
Price: 2.47 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP5N50P3

Herst.- Nr.:

IXFP5N50P3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFETs

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IXFP5N50P3 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 1.60	CHF 16.00
	CHF 1.09	CHF 109.00
	CHF 0.888	CHF 444.00
	CHF 0.824	CHF 824.00
	CHF 0.793	CHF 1’982.50
	CHF 0.771	CHF 3’855.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.65 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	6.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	114 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	IXFP5N50
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXFP5N50P3 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.