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IXFR32N80Q3

Name: IXYS IXFR32N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR32N80Q3
Price: 32.71 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFR32N80Q3

Herst.- Nr.:

IXFR32N80Q3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A

Datenblatt:

IXFR32N80Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	300 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	140 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	300 ns
Serie:	IXFR32N80
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFR32N80Q3 Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme (Unmanned Aerial Vehicle) von Littelfuse bieten Lösungen für den Schutz von Lithium-Ionen-Akkus, Akkuladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme verfügen über Sicherungen zum Schutz des Eingangs bzw. zum Überstromschutz, MOSFETs zur Halbleiterschaltung sowie TVS-Dioden zum Schutz des DC-Ausgangs vor Transienten und Überspannungen. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten einen Batterieschutz für Spannungen > 60 V und verfügen über eine Fehlerisolierung für die Hauptbatterie, eine Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Unterstützung der Vorladung) sowie einen Überstromschutz für die Abzweigstromkreise. Typische Applikationen umfassen Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Liefer- und Logistikwesen, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) von Littelfuse bieten Lösungen für die Leistungsumwandlung und den DC-Bus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Bodenstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Leistungsumwandlung und verfügen über einen DC-Bus mit einer Gleichrichterdiode, die die AC-Netzspannung in DC umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Applikationen sind Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär sowie Grenzüberwachung.

Drohnen-Subsysteme

Die Drohnen-Subsysteme von Littelfuse bieten Lösungen für USB-C-PD- und Lithium-Ionen-Akkuladegeräte, Akkusysteme und BLDC-Motoren. Diese Subsysteme bieten Sicherungen für verschiedene Funktionen, darunter Überstromschutz und Fehlerisolierung für den Wechselstromeingang sowie Schutz für den Akku, den nachgeschalteten Controller, das Akkupack, die Verkabelung und den Controller. Die Drohnen-Subsysteme bieten TVS-Dioden zur Unterdrückung von Schalttransienten auf der Primärseite sowie einen Überspannungsschutz für die Messleitungs-Eingänge der Zellenüberwachungs-ICs. Diese Subsysteme eignen sich für verschiedene Drohnen, darunter Spielzeugdrohnen, Kameradrohnen, First-Person-View-Drohnen (FPV), Drohnen für den Unternehmens- und Industriebereich, Drohnen für Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Inspektions- und Kartierungsdrohnen, Drohnen für die Landwirtschaft sowie Schwerlastdrohnen. Typische Applikationen umfassen Liefer- und Logistikwesen, öffentliche Sicherheit, Grenzüberwachung und Militär.

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse

IXYS Q3-Klasse HiperFET™ Leistungs-MOSFETs bieten dem Endverbraucher ein großes Angebot von Bauteilen, die eine außergewöhnliche Stromschaltleistung aufweisen. Sie bieten außerdem hervorragende thermische Eigenschaften, eine verbesserte Robustheit der Bauteile und eine hohe Energieeffizienz. Diese MOSFETs sind mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V bis 1.000 V und einem Drainstrom von 10 A bis 100 A erhältlich. Diese Eigenschaften machen die Q3-Klasse zu einer optimierten Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand (R_dson) und einer Gate-Ladung (Q_g), wodurch die Leitungs- und Schaltverluste des Bauteils erheblich reduziert werden. Durch die Verwendung des HiperFET-Prozesses werden die Stromschaltfunktionen und die Robustheit der Bauteile weiter verbessert. Dieser Prozess führt zu einem Bauteil mit einem schnellen intrinsischen Gleichrichter, der für eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) sorgt und gleichzeitig die dv/dt-Werte des Bauteils verbessert (bis zu 50 V/ns).

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.