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IXFT24N90P

Name: IXYS IXFT24N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT24N90P
Price: 14.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFT24N90P

Herst.- Nr.:

IXFT24N90P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Datenblatt:

IXFT24N90P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	420 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6.5 V
Qg - Gate-Ladung:	130 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	660 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	IXFT24N90
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	46 ns
Gewicht pro Stück:	4.500 g

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IXFT24N90P Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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