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IXFT36N50P

Name: IXYS IXFT36N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT36N50P
Price: 12.45 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFT36N50P

Herst.- Nr.:

IXFT36N50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 500V 36A

Datenblatt:

IXFT36N50P Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	93 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	540 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	36 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Serie:	IXFT36N50
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	4.500 g

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Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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