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IXFT58N20Q

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFT58N20Q

Herst.- Nr.:

IXFT58N20Q

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 200V 58A

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXFT58N20Q Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-268-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	58 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HyperFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	34 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	4.500 g

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Datenblatt

IXFT58N20Q Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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