Zum Hauptinhalt wechseln

+49 (0)89 520 462 110

Teil der TTI Family of Specialists Kontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +49 (0)89 520 462 110 Feedback

Standort wählen

Auf Lager

RoHS

Login
Neuer Kunde? Hier starten
Login
Neuer Kunde? Hier starten

Bestellhistorie

Herst.	Herst.- Nr.:	Menge	Endpreis

Warenkorb ansehen

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXGF32N170

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGF32N170

Herst.- Nr.:

IXGF32N170

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXGF32N170 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht verfügbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Preis (CHF)

Angebot anfordern

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	ISOPLUS i4-PAC-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.7 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	3.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	44 A
Pd - Verlustleistung:	200 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXGF32N170
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	200 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXGF32N170 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMPFOHLENE PRODUKTE

IXYS

XPT IGBTs der 5. Gen.

Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.

XPT™-GenX5™-Trench-IGBTs

Trench-IGBTs der 5. Generation mit quadratischen Sperrvorspannungs-sicheren Betriebsbereichen und einer Durchschlagspannung von 650 V.

IXGA20N250HV Hochspannungs-IGBT

Quadratischer RBSOA, 10 µs Kurzschlussfähigkeit und 2500 V V_CES, 12 A I_C110, und 3,1 V V_CE(sat).

IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs

Geräte mit 3000 V und 14 A, die die Stärken von MOSFETs und IGBTs vereinen.

IXYx110N120A4 1.200-V-XPT™-GenX4™-Trench-IGBTs

Bieten einen extrem niedrigen V_sat, der für das Schalten von bis zu 5 kHz ausgelegt ist.