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IXGH35N120B

IXYS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGH35N120B

Herst.- Nr.:

IXGH35N120B

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 70 Amps 1200V 3.3 Rds

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IXGH35N120B Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247AD-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXGH35N120
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	70 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6.500 g

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Datenblatt

IXGH35N120B Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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