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IXGN200N60B3

Name: IXYS IXGN200N60B3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXGN200N60B3
Price: 62.23 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGN200N60B3

Herst.- Nr.:

IXGN200N60B3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A

Datenblatt:

IXGN200N60B3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227B-4
Montageart:	Screw Mount
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	300 A
Pd - Verlustleistung:	830 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXGN200N60
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	1.2 kA
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	GenX3
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXGN200N60B3 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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