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IXTA80N10T

Name: IXYS IXTA80N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA80N10T
Price: 4.77 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTA80N10T

Herst.- Nr.:

IXTA80N10T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds

Datenblatt:

IXTA80N10T Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	105 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	230 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	48 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	33 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	54 ns
Serie:	IXTA80N10
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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Datenblatt

IXTA80N10T Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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