IXTH60N20L2

IXYS
747-IXTH60N20L2
IXTH60N20L2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
60 A
45 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
255 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
Linear L2
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 35 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 23 ns
Serie: IXTH60N20
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 26 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.