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IXTH86N25T

Name: IXYS IXTH86N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH86N25T
Price: 5.04 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH86N25T

Herst.- Nr.:

IXTH86N25T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO247 250V 86A N-CH TRENCH

Datenblatt:

IXTH86N25T Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	86 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	37 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	540 W
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	28 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

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PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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