IXTK200N10L2

IXYS
747-IXTK200N10L2
IXTK200N10L2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
540 nC
- 55 C
+ 150 C
1.04 kW
Enhancement
Linear L2
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 55 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 225 ns
Serie: IXTK200N10
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 127 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 40 ns
Gewicht pro Stück: 10 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.