IXTP120N04T2

Name: IXYS IXTP120N04T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP120N04T2
Price: 3.45 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP120N04T2

Herst.- Nr.:

IXTP120N04T2

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	58 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	28 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	IXTP120N04
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	2 g