IXTP12N70X2M

Name: IXYS IXTP12N70X2M
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP12N70X2M
Price: 5.74 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP12N70X2M

Herst.- Nr.:

IXTP12N70X2M

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	300 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	180 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	78 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	2 g