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IXTP3N50D2

Name: IXYS IXTP3N50D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP3N50D2
Price: 5.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP3N50D2

Herst.- Nr.:

IXTP3N50D2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Datenblatt:

IXTP3N50D2 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	42 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	71 ns
Serie:	IXTP3N50
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXTP3N50D2 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541900000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Korea, Republik von
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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