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IXTQ120N15P

Name: IXYS IXTQ120N15P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ120N15P
Price: 9.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ120N15P

Herst.- Nr.:

IXTQ120N15P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds

Datenblatt:

IXTQ120N15P Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	150 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	600 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PolarHT
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	26 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	42 ns
Serie:	IXTQ120N15
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	33 ns
Gewicht pro Stück:	5.500 g

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Datenblatt

IXTQ120N15P Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge

Obwohl AC-Ladestationen im Vergleich zu DC-Ladegeräten weniger komplex sind, liefern sie trotzdem eine sichere AC-Leistung vom Stromnetz ins Fahrzeug. Aufgrund der Platz- und Gewichtsbeschränkungen im Fahrzeug bieten On-Board-Ladegeräte und AC-Ladestationen normalerweise eine geringere Leistung (höchstens 22 kW). Dies führt zu einem langsameren Laden, das mehrere Stunden dauert. Außerdem sind diese Systeme vom On-Board-Ladegerät eines Fahrzeugs zur Umwandlung von AC-Leistung vom Stromnetz in eine DC-Leistung zum Laden der Fahrzeugbatterie abhängig. Es ist wichtig, dass angemessene Maßnahmen zum Schutz des Ladegeräts sowie des Fahrzeugs ergriffen werden.