IXTQ69N30P

Name: IXYS IXTQ69N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ69N30P
Price: 11.31 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ69N30P

Herst.- Nr.:

IXTQ69N30P

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	69 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	49 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	180 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	27 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	IXTQ69N30
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	5.500 g