Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXTQ75N10P

Name: IXYS IXTQ75N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ75N10P
Price: 6.15 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ75N10P

Herst.- Nr.:

IXTQ75N10P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds

Datenblatt:

IXTQ75N10P Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXTQ75N10P

Auf Lager: 300

Lagerbestand:: 300 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 6.15	CHF 6.15
	CHF 4.11	CHF 41.10
	CHF 3.31	CHF 397.20
	CHF 2.65	CHF 1’351.50
	CHF 2.60	CHF 2’652.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	75 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	74 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	360 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PolarHT
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	45 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	53 ns
Serie:	IXTQ75N10
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns
Gewicht pro Stück:	5.500 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXTQ75N10P Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge

Obwohl AC-Ladestationen im Vergleich zu DC-Ladegeräten weniger komplex sind, liefern sie trotzdem eine sichere AC-Leistung vom Stromnetz ins Fahrzeug. Aufgrund der Platz- und Gewichtsbeschränkungen im Fahrzeug bieten On-Board-Ladegeräte und AC-Ladestationen normalerweise eine geringere Leistung (höchstens 22 kW). Dies führt zu einem langsameren Laden, das mehrere Stunden dauert. Außerdem sind diese Systeme vom On-Board-Ladegerät eines Fahrzeugs zur Umwandlung von AC-Leistung vom Stromnetz in eine DC-Leistung zum Laden der Fahrzeugbatterie abhängig. Es ist wichtig, dass angemessene Maßnahmen zum Schutz des Ladegeräts sowie des Fahrzeugs ergriffen werden.