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IXYH55N120B4H1

Name: IXYS IXYH55N120B4H1
Brand: IXYS
SKU: 576-IXYH55N120B4H1
Price: 16.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-IXYH55N120B4H1

Herst.- Nr.:

IXYH55N120B4H1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs IXYH55N120B4H1

Datenblatt:

IXYH55N120B4H1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.8 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	138 A
Pd - Verlustleistung:	650 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	138 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT

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Datenblatt

IXYH55N120B4H1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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