IXYH55N120B4H1

IXYS
576-IXYH55N120B4H1
IXYH55N120B4H1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs IXYH55N120B4H1

Datenblatt:
ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.8 V
- 20 V, 20 V
138 A
650 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.: 138 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Kriechstrom Gate-Emitter: 100 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: XPT
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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