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IXYN100N65A3

IXYS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXYN100N65A3

Herst.- Nr.:

IXYN100N65A3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs SOT227 650V 100A GENX3

Datenblatt:

IXYN100N65A3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.8 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	170 A
Pd - Verlustleistung:	600 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Planar
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT, GenX3
Gewicht pro Stück:	27 g

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Datenblatt

IXYN100N65A3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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