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IXYP15N65C3D1M

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXYP15N65C3D1M

Herst.- Nr.:

IXYP15N65C3D1M

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 650V/16A XPT IGBT C3 Copacked TO-220

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXYP15N65C3D1M Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.96 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	16 A
Pd - Verlustleistung:	48 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	IXYP15N65
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	16 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	XPT
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXYP15N65C3D1M Datenblatt

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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