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AUIRFP4568

Name: Infineon AUIRFP4568
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-AUIRFP4568
Price: 15.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-AUIRFP4568

Herst.- Nr.:

AUIRFP4568

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

Datenblatt:

AUIRFP4568 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 8.75	CHF 3’500.00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	171 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	227 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	517 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	84 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	162 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	119 ns
Verpackung ab Werk:	400
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

AUIRFP4568 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Mexiko
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

100 V bis 150 V StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs

Infineon TechnologiesInfineon Technologies StrongIRFET ™ 100-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs sind für einen niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) und eine hohe Strombelastbarkeit optimiert. Diese Bauteile bieten einen R_DS(on) von nur 1,3 mΩ bei 100 V und eine Strombelastbarkeit von bis zu 209 A bei 100 V. Diese Merkmale führen zu geringeren Leitungsverlusten und einer höheren Leistungsdichte, während gleichzeitig ältere Designs berücksichtigt werden. Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFETs sind ideal für Niederfrequenzapplikationen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt ein breites Spektrum an Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.