BSZ018NE2LSIXT

Infineon Technologies
726-BSZ018NE2LSIATMA
BSZ018NE2LSIXT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
153 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 70 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4.4 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.5 ns
Artikel # Aliases: SP000906032 BSZ018NE2LSIATMA1
Gewicht pro Stück: 38.760 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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