FF600R17KE3_B2

Infineon Technologies
641-FF600R17KE3_B2
FF600R17KE3_B2

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module N-CH 1.7KV 950A

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Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
IGBT Silicon Modules
Dual Dual Collector Dual Emitter
1.7 kV
950 A
IHM130
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: IGBT Modules
Serie: IGBT3 - E3
Verpackung ab Werk: 2
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
Artikel # Aliases: SP000100601 FF600R17KE3B2NOSA1
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