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FF900R12ME7WB11BPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7WB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7WB11B
Price: 179.45 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FF900R12ME7WB11B

Herst.- Nr.:

FF900R12ME7WB11BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module

Datenblatt:

FF900R12ME7WB11BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	890 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	EconoDUAL
Artikel # Aliases:	FF900R12ME7W_B11 SP005589481

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Datenblatt

FF900R12ME7WB11BPSA1 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1.200-V-Dual-IGBT-Module

Die Infineon 1.200 V Dual-IGBT-Module sind EconoDUAL™ 3 1.200 V, 900 A Dual-TRENCHSTOP™ IGBT7-Module mit emittergesteuerter 7 Diode, NTC und PressFIT-Kontakttechnologie. Die IGBT-Module bieten einen höheren Wechselrichter-Ausgangsstrom für die gleiche Rahmengröße und Vermeidung von Parallelschaltung. Die 1.200-V-Dual-IGBT-Module von Infineon bieten eine einfache und zuverlässige Montage mit einer hohen Zuverlässigkeit der Verbindungen.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule

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EconoDUAL™ 3-Econo-Leistungsmodule

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