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FP50R12N2T7PB11BPSA1

Name: Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12N2T7PB111
Price: 72.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FP50R12N2T7PB111

Herst.- Nr.:

FP50R12N2T7PB11BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 1200 V, 50 A PIM IGBT module

Datenblatt:

FP50R12N2T7PB11BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	3-Phase Inverter
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Through Hole
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	FP50R12N2T7P_B11 SP005595806

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1.200 V PIM-IGBT-Module

Infineon 1.200 V PIM-IGBT-Module bieten eine TRENCHSTOP™ IGBT7- und EC7-Dioden-Technologie, die auf der neuesten Mikromuster-Trench-Technologie basiert. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige Maximale Betriebstemperatur von bis zu 175°C in den 1.200 V PIM-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.