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FS01MR08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01MR08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01MR08A8MA2CHP
Price: 887.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS01MR08A8MA2CHP

Herst.- Nr.:

FS01MR08A8MA2CHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FS01MR08A8MA2CHPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	SiC MOSFET Modules
Typ:	Bridge Power Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	4.64 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 19 V
Montageart:	Press Fit
Serie:	HybridPACK
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Abfallzeit:	53 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	620 A
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.69 mOhms
Anstiegszeit:	108 ns
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Regelabschaltverzögerungszeit:	318 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	128 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.9 V
Artikel # Aliases:	FS01MR08A8MA2C SP006071563

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Konformitätscodes

ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Deutschland
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

HybridPACK™ Drive G2 Module

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module sind kompakte Leistungsmodule, die für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurden. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Betriebsverhalten durch den Einsatz von Si- oder SiC -Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Es wurde im 2017 mit Silizium- EDT2 -Technologie eingeführt und für den Wirkungsgrad im realen Fahrbetrieb optimiert. 2021 wurde eine CoolSiC™ Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und ein besseres Betriebsverhalten bietet. 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3 (Si IGBT) und CoolSiC™ G2 MOSFET Technologien eingeführt, die eine einfache Anwendung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bieten und bis zu 300 kW Betriebsverhalten innerhalb der Klassen 750 V und 1.200 V ermöglichen.