FS03MR12A6MA1BBPSA1

Infineon Technologies
726-FS03MR12A6MA1BBP
FS03MR12A6MA1BBPSA1

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G1 SIC

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Infineon
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
SiC Modules
SiC
Tray
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Verpackung ab Werk: 6
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Artikel # Aliases: FS03MR12A6MA1B SP001720764
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CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

1.200-V-CoolSiC™-Module

Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Module, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Systemflexibilität bieten. Diese Module sind mit Near-Threshold-Schaltungen (NTC) und einer PressFIT-Kontakttechnologie ausgestattet. Die CoolSiC-Module verfügen über eine hohe Stromdichte, erstklassige Schalt- und Leitungsverluste sowie ein Design mit niedriger Induktivität. Diese Module bieten einen Hochfrequenzbetrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, eine optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten.