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FZ2000R33HE4BOSA1

Name: Infineon FZ2000R33HE4BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FZ2000R33HE4BOSA
Price: 1643.35 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

726-FZ2000R33HE4BOSA

Herst.- Nr.:

FZ2000R33HE4BOSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module IHV IHM T

Datenblatt:

FZ2000R33HE4BOSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	3.3 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.2 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	2 kA
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	4.2 MW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	DE
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT4 - E4
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	FZ2000R33HE4 SP003062218

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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