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IAUC120N06S5N032ATMA1

Name: Infineon IAUC120N06S5N032ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUC120N06S5N032
Price: 1.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IAUC120N06S5N032

Herst.- Nr.:

IAUC120N06S5N032ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

Datenblatt:

IAUC120N06S5N032ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.59	CHF 1.59
	CHF 1.02	CHF 10.20
	CHF 0.683	CHF 68.30
	CHF 0.542	CHF 271.00
	CHF 0.496	CHF 496.00
	CHF 0.482	CHF 1'205.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.43	CHF 2'150.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.23 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V
Qg - Gate-Ladung:	47 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	94 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	OptiMOS 5
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IAUC120N06S5N032 SP005616399

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Datenblatt

IAUC120N06S5N032ATMA1 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs sind dazu konzipiert, den Anforderungen nach verbesserter Systemeffizienz bei reduzierten Systemkosten zu entsprechen. Diese Geräte weisen niedrigeren RDS(on) und Gütefaktor (RDS(on) x Qg) auf, verglichen mit alternativen Geräten. Sie wurden unter Verwendung einer neuen Siliziumtechnologie entwickelt und sind optimiert, um den Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu entsprechen und diese zu übertreffen. Zu den typischen Anwendungsbereichen dieser MOSFETs gehören Server, Datenkommunikation und Client-Anwendungen in der Computerbranche. Sie können außerdem in der Synchrongleichrichterschaltung bei Schaltnetzteilen(SMPS) sowie als Motorsteuerung, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnell schaltenden DC-DC-Wandler-Anwendungen genutzt werden.
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