Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IAUC41N06S5N102ATMA1

Name: Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUC41N06S5N102A
Price: 0.95 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IAUC41N06S5N102A

Herst.- Nr.:

IAUC41N06S5N102ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

Datenblatt:

IAUC41N06S5N102ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IAUC41N06S5N102ATMA1

Auf Lager: 4'677

Lagerbestand:: 4'677 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.951	CHF 0.95
	CHF 0.645	CHF 6.45
	CHF 0.433	CHF 43.30
	CHF 0.341	CHF 170.50
	CHF 0.286	CHF 286.00
	CHF 0.282	CHF 705.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.244	CHF 1'220.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.4 V
Qg - Gate-Ladung:	12.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	42 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	OptiMOS 5
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IAUC41N06S5N102 SP003244390

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IAUC41N06S5N102ATMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs sind dazu konzipiert, den Anforderungen nach verbesserter Systemeffizienz bei reduzierten Systemkosten zu entsprechen. Diese Geräte weisen niedrigeren RDS(on) und Gütefaktor (RDS(on) x Qg) auf, verglichen mit alternativen Geräten. Sie wurden unter Verwendung einer neuen Siliziumtechnologie entwickelt und sind optimiert, um den Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu entsprechen und diese zu übertreffen. Zu den typischen Anwendungsbereichen dieser MOSFETs gehören Server, Datenkommunikation und Client-Anwendungen in der Computerbranche. Sie können außerdem in der Synchrongleichrichterschaltung bei Schaltnetzteilen(SMPS) sowie als Motorsteuerung, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnell schaltenden DC-DC-Wandler-Anwendungen genutzt werden.
Weitere Informationen

IAUZ4xN06S5 OptiMOS™-5 60-V-Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 OptiMOS™-5 60-V-Automotive-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand, eine niedrige Gate-Ladung und eine niedrige Gate-Kapazität, wodurch Leitungs- und Schaltverluste reduziert werden. Diese n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs verfügen außerdem über eine extrem niedrige Sperrverzögerungsladung von 22,7 nC bis 23,0 nC.