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IKB40N65EF5ATMA1

Name: Infineon IKB40N65EF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKB40N65EF5ATMA1
Price: 4.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKB40N65EF5ATMA1

Herst.- Nr.:

IKB40N65EF5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs INDUSTRY

Datenblatt:

IKB40N65EF5ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.66	CHF 26.60
	CHF 1.94	CHF 194.00
	CHF 1.72	CHF 860.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.60	CHF 1’600.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	74 A
Pd - Verlustleistung:	250 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT5
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Kollektorgleichstrom Ic max.:	74 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKB40N65EF5 SP001509612
Gewicht pro Stück:	1.561 g

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Datenblatt

IKB40N65EF5ATMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™5 IBGTs sind die nächste Generation von Dünnwafer-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), die über deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste im Vergleich zu derzeit führenden Lösungen verfügen. Kein anderer IGBT auf dem Markt kann bei der Leistung des TRENCH ™ 5 mithalten. Diese sind für Anwendungen, mit Schaltung > 10 kHz ausgelegt. Die Waferdicke wurde auf > 25% reduziert, was eine deutliche Verbesserung sowohl bei der Reduzierung von Schalt- und Durchlassverlusten ermöglicht und gleichzeitig eine Durchbruchspannung von 650 V bietet. Dieser Quantensprung an Effizienz eröffnet Designern neue Forschungsmöglichkeiten.
Weitere Informationen

TRENCHSTOP™ 5 F5 Diskrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Diskrete IGBTs sind für Schaltapplikationen von >60 kHz optimiert, um einen optimalen Wirkungsgrad zu ermöglichen und die Lücke zwischen MOSFETs und IGBTs zu schließen. Die F5-Baureihe bietet deutlich geringere Schaltverluste im Vergleich zu den derzeit führenden Lösungen. Die F5-Baureihe zielt auf Topologien wie Aufwärtsstufen, PFC-(AC/DC)-Stufen und Hochspannungs-DC/DC-Topologien ab, die in Applikationen wie z. B. unterbrechungsfreien Stromversorgungen, USV, invertierenden Schweißmaschinen und Schaltnetzteile (SNT) zu finden sind. Die TRENCHSTOP™ 5 F5 650-V-IGBTs sind für Designs mit niedriger Induktivität in Kombination mit SiC-Dioden ausgelegt und bieten einen um 1 % höheren Wirkungsgrad als die TRENCHSTOP™ 5 H5 650-V-Produktfamilie. Die F5-Produkte erfordern einen höheren Designaufwand, aber der Mehraufwand lohnt sich.