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IPB60R099CP

Name: Infineon IPB60R099CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB60R099CP
Price: 6.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB60R099CP

Herst.- Nr.:

IPB60R099CP

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IPB60R099CP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 6.57	CHF 6.57
	CHF 4.38	CHF 43.80
	CHF 3.54	CHF 354.00
	CHF 3.27	CHF 1’635.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 2.78	CHF 2’780.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IPB60R099CPATMA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 6.05

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	255 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CoolMOS CE
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	SP000088490 IPB6R99CPXT IPB60R099CPATMA1
Gewicht pro Stück:	4 g

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

IPB60R099CP Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CoolMOS CE Leistungs-MOSFETs

Die CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelte Technologieplattform aus Hochspannungs-MOSFETs. Das Portfolio umfasst CoolMOS™ CEs mit 500 V, 600 V, 650 V, 700 V, und 800 V, die für den Einsatz in Ladegeräten mit geringem Stromverbrauch für Mobilgeräte, Elektrowerkzeuge, Adapter für Notebooks und Laptops, LCD- und LED-Fernseher und LED-Leuchten gedacht sind. Diese neue Baureihe von CoolMOS™ ist kostenoptimiert, um die typischen Anforderungen in Anwendungen für Endverbraucher ohne Kompromisse bei der bewährten CoolMOS ™ Qualität und Zuverlässigkeit zu erfüllen, und gleichzeitig immer noch preislich attraktiv zu bleiben.
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Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.