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IPD70P04P4L08ATMA2

Name: Infineon IPD70P04P4L08ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD70P04P4L08ATM
Price: 1.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD70P04P4L08ATM

Herst.- Nr.:

IPD70P04P4L08ATMA2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Datenblatt:

IPD70P04P4L08ATMA2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 0.904	CHF 9.04
	CHF 0.65	CHF 65.00
	CHF 0.55	CHF 275.00
	CHF 0.503	CHF 503.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.453	CHF 1’132.50
	CHF 0.445	CHF 2’225.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	71 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	IPD70P04P4L-08 SP002325772
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

IPD70P04P4L08ATMA2 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

OptiMOS®-P2 Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®P2 Automotive-MOSFETs bieten ein umfassendes Portfolio von p-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFETs mit der Technologie von OptiMOS-P2 und Gen5. Die Automotive-MOSFETs sind AEC-qualifiziert und unterstützen eine Betriebstemperatur von 175°C. Die OptiMOS-P2 Automotive-MOSFETs von Infineon sind in DPAK-, D2PAK-, TO220-, TO262- und SO8-Gehäusen verfügbar.