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IPD90P03P4L-04

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD90P03P4L04

Herst.- Nr.:

IPD90P03P4L-04

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

IPD90P03P4L-04 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Möglicher Ersatz

Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

IPD90P03P4L04ATMA2

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	125 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	137 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	OptiMOS-P2
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	140 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Artikel # Aliases:	IPD9P3P4L4XT SP000396300 IPD90P03P4L04ATMA1
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

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EOL

Product Discontinuance Notification 2024-06-27 (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.