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IPL65R160CFD7AUMA1

Name: Infineon IPL65R160CFD7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPL65R160CFD7AUM
Price: 3.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPL65R160CFD7AUM

Herst.- Nr.:

IPL65R160CFD7AUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt:

IPL65R160CFD7AUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.24	CHF 22.40
	CHF 1.60	CHF 160.00
	CHF 1.35	CHF 675.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.26	CHF 3’780.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	160 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	98 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.5 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	70 ns
Artikel # Aliases:	IPL65R160CFD7 SP005559258

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Datenblatt

IPL65R160CFD7AUMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs sind ideal für resonante Hochleistungstopologien und verfügen über die neuste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie. Die MOSFETs verfügen über eine integrierte schnelle Body-Diode und vervollständigen die CoolMOS 7er-Baureihe. Typische Hochleistungs-SNT-Applikationen umfassen Server, Telekommunikation und EV-Ladestationen.