Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IPP016N06NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP016N06NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-P016N06NF2SAKMA1
Price: 2.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-P016N06NF2SAKMA1

Herst.- Nr.:

IPP016N06NF2SAKMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 60V

Datenblatt:

IPP016N06NF2SAKMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IPP016N06NF2SAKMA1

Auf Lager: 919

Lagerbestand:: 919

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1’000

erwartet ab 11.06.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 9

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 2.28	CHF 2.28
	CHF 1.12	CHF 11.20
	CHF 0.996	CHF 99.60
	CHF 0.817	CHF 408.50
	CHF 0.714	CHF 714.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	194 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	155 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	130 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	34 ns
Serie:	XPP016N06
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns
Artikel # Aliases:	IPP016N06NF2S SP005742470

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IPP016N06NF2SAKMA1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFETs für Universal-Applikationen

Infineon Technologies MOSFETs für Universal-Applikationen bieten einfache und preisgünstige Lösungen mit einer großen Verfügbarkeit und einer bewährten Qualität. Dieses Portfolio deckt Spannungsklassen von bis zu 100 V ab. Dazu gehören Einzel- und Dual-n-Kanal-MOSFETs und Produkte für eine kleinere Strombelastbarkeit (Einzel- und Dual-n- und p-Kanal-MOSFETs). Die ausgewählten Bauteile sind in einer großen Auswahl von Gehäusen verfügbar, einschließlich SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6 und TO220.Diese Produkte sind für eine große Auswahl von Universal-Applikationen, wie z. B. Adapter, Ladegeräte, batteriebetriebene Applikationen, Motorsteuerung und -antriebe, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter, Computer und mobile Applikationen ausgelegt.

StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-, Normalpegel- und zu 100 % Avalanche-getestete MOSFETs. Die StrongIRFET 2 MOSFETs von Infineon sind für eine große Auswahl von Applikationen optimiert. Die MOSFETs bieten einen V_DS-Bereich von 80 V bis 100 V und einen R_DS(on) von 2,4 mΩ bis 8,2 mΩ.