IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPP60R040C7XKSA1
IPP60R040C7XKSA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt:
ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: AT
Ursprungsland: AT
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: CoolMOS C7
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: IPP60R040C7 SP001277604
Gewicht pro Stück: 2 g
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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

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CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

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