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IPT60R080G7XTMA1

Name: Infineon IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R080G7XTMA1
Price: 5.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPT60R080G7XTMA1

Herst.- Nr.:

IPT60R080G7XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt:

IPT60R080G7XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 5.64	CHF 5.64
	CHF 3.77	CHF 37.70
	CHF 3.03	CHF 303.00
	CHF 2.70	CHF 1’350.00
	CHF 2.39	CHF 2’390.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 2.39	CHF 4’780.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	167 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CoolMOS C7 Gold
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Artikel # Aliases:	IPT60R080G7 SP001615904
Gewicht pro Stück:	771.020 mg

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Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V G7 (Zip)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs

Die Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs sind im neuen TO-Leadless-SMD-Gehäuse (TOLL) mit Kelvin-Source-Fähigkeit untergebracht. Die G7-MOSFETs kombinieren eine verbesserte 600V- und 650V-CoolMOS-G7-Technologie, 4-Pin-Kelvin-Source-Fähigkeit mit den verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless-Gehäuses. Dies ermöglicht eine SMD-Lösung für Hochstrom-Hartschalttopologien wie Power Factor Correction (PFC) bis zu 3 kW. Für die 600 V CoolMOS G7 können die MOSFETs für Resonanzkreise wie High-End-LLC verwendet werden.

CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs setzen neue Standards in puncto Energieeffizienz, Leistungsdichte und Benutzerfreundlichkeit. Die CoolMOS-7-Technologie ist für spezifische Applikationen mit innovativen Gehäusekonzepten und verschiedenen Technologien optimiert. CoolMOS 7 MOSFETS eignen sich hervorragend für Applikationen, die z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge verkleinern und höhere Ausgänge bieten, was eine schnellere Aufladung des Autos zur Folge hat. Durch CoolMOS 7 sind neue Generationen von Adaptern und Ladegeräten kleiner, leichter und effizienter. Mit CoolMOS 7 können Ingenieure erneuerbare Energiesysteme günstiger und effizienter gestalten.

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

CoolMOS™ -Leistungstransistoren von Infineon bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs. In Kombination mit der Generation CoolMOS 7 setzt Infineon weiterhin Preis-, Leistungs- und Qualitätsmaßstäbe.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.