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IPT60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPT60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R180CM8XTMA
Price: 2.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPT60R180CM8XTMA

Herst.- Nr.:

IPT60R180CM8XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

Datenblatt:

IPT60R180CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.30	CHF 2.30
	CHF 1.38	CHF 13.80
	CHF 0.977	CHF 97.70
	CHF 0.809	CHF 404.50
	CHF 0.762	CHF 762.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.731	CHF 1’462.00
	CHF 0.722	CHF 2’888.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	17 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	119 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	600V CM8
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	88.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17.2 ns
Artikel # Aliases:	IPT60R180CM8 SP005578053

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Datenblatt

IPT60R180CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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