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IPTC034N15NM6ATMA1

Name: Infineon IPTC034N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPTC034N15NM6ATM
Price: 4.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPTC034N15NM6ATM

Herst.- Nr.:

IPTC034N15NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IPTC034N15NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 3.11	CHF 31.10
	CHF 2.23	CHF 223.00
	CHF 2.01	CHF 1’005.00
	CHF 1.88	CHF 1’880.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	CHF 1.88	CHF 3’384.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	194 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	69 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	294 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	70 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	IPTC034N15NM6 SP006055102

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Datenblatt

IPTC034N15NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

OptiMOS™ 6 150-V-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150-V-Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch einen branchenführenden niedrigen R_DS(on), eine verbesserte Schaltleistung und ein ausgezeichnetes EMI-Verhalten aus, was zu einer beispiellosen Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit beiträgt. Die OptiMOS 6-Technologie bietet erhebliche Verbesserungen gegenüber ihrem Vorgänger OptiMOS 5, wie z. B. einen bis zu 41 % niedrigeren R_DS(on), eine 20 % niedrigere FOM_g und eine 17 % niedrigere FOM_gd. Darüber hinaus zeichnen sich diese MOSFETs durch eine hohe Avalanche-Robustheit und eine maximale Sperrschichttemperatur von +175 °C aus, wodurch ein robuster und stabiler Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet wird. Mit einem breiten Gehäuseportfolio sind die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 150 V von Infineon darauf ausgelegt, die strengen Anforderungen von Applikationen mit sowohl hohen als auch niedrigen Schaltfrequenzen zu erfüllen, und bieten eine verbesserte Systemzuverlässigkeit und eine längere Lebensdauer.

OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs bieten die modernste Innovation der nächsten Generation und eine erstklassige Performance. Die OptiMOS 6 Produktfamilie nutzt die Dünnwafer-Technologie, die wesentliche Leistungsvorteile ermöglicht. Verglichen mit alternativen Produkten liefern die OptiMOS 6 Leistungs-MOSFETs einen um 30 % reduzierten R_DS(ON) und sind für die Synchrongleichrichtung optimiert.