IPZA65R035CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPZA65R035CFD7AX
IPZA65R035CFD7AXKSA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Menge Stückpreis
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CHF 11.59 CHF 11.59
CHF 8.82 CHF 88.20
CHF 7.35 CHF 735.00
CHF 6.55 CHF 3’144.00
CHF 6.13 CHF 7’356.00

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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
63 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
145 nC
- 40 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
Tube
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 2.7 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9.2 ns
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 131 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
Artikel # Aliases: IPZA65R035CFD7A -
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Deutschland
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Deutschland
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.

CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs sind extrem schnelle Dioden, die das Angebot an Spannungsklassen der CFD7-Produktfamilie erweitern. Die Leistungs-MOSFETs werden mit einer zusätzlichen Durchschlagspannung von 50 V, einer integrierten schnellen Body-Diode, einer verbesserten Schaltleistung und einem ausgezeichneten thermischen Verhalten geliefert. Diese CFD7 Leistungs-MOSFETs bieten den höchsten Wirkungsgrad in resonanten Schalttopologien, wie z. B. LLC und Phasenverschiebungs-Vollbrücken (ZVS). Die MOSFETs kombinieren alle Vorteile einer schnellschaltenden Technologie mit einer überlegenen harten Kommutierungsrobustheit. Diese Leistungs-MOSFETs unterstützen die CoolMOS™ CFD7-Technologie, welche die Zuverlässigkeitsstandards erfüllt und darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte unterstützt.