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IPZA65R035CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPZA65R035CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPZA65R035CFD7AX
Price: 11.59 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPZA65R035CFD7AX

Herst.- Nr.:

IPZA65R035CFD7AXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IPZA65R035CFD7AXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 8.82	CHF 88.20
	CHF 7.35	CHF 735.00
	CHF 6.55	CHF 3’144.00
	CHF 6.13	CHF 7’356.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	63 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	145 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	305 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2.7 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.2 ns
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	131 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Artikel # Aliases:	IPZA65R035CFD7A -

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Datenblatt

IPZA65R035CFD7AXKSA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.

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