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IQE046N08LM5ATMA1

Name: Infineon IQE046N08LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-E046N08LM5ATMA1
Price: 2.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-E046N08LM5ATMA1

Herst.- Nr.:

IQE046N08LM5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Datenblatt:

IQE046N08LM5ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.62	CHF 2.62
	CHF 1.76	CHF 17.60
	CHF 1.24	CHF 124.00
	CHF 1.05	CHF 525.00
	CHF 1.01	CHF 1'010.00
	CHF 0.97	CHF 2'425.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.951	CHF 4'755.00
	CHF 0.916	CHF 9'160.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	99 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.3 V
Qg - Gate-Ladung:	38 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	62 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.6 ns
Serie:	IQE046N08
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	OptiMOS 5 Power Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.2 ns
Artikel # Aliases:	IQE046N08LM5 SP005633158

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Datenblatt

IQE046N08LM5ATMA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs sind dazu konzipiert, den Anforderungen nach verbesserter Systemeffizienz bei reduzierten Systemkosten zu entsprechen. Diese Geräte weisen niedrigeren RDS(on) und Gütefaktor (RDS(on) x Qg) auf, verglichen mit alternativen Geräten. Sie wurden unter Verwendung einer neuen Siliziumtechnologie entwickelt und sind optimiert, um den Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu entsprechen und diese zu übertreffen. Zu den typischen Anwendungsbereichen dieser MOSFETs gehören Server, Datenkommunikation und Client-Anwendungen in der Computerbranche. Sie können außerdem in der Synchrongleichrichterschaltung bei Schaltnetzteilen(SMPS) sowie als Motorsteuerung, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnell schaltenden DC-DC-Wandler-Anwendungen genutzt werden.
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