IR2011SPBF
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Beschreibung:
Gate-Treiber 200V high & low-side ,1A,80ns,DSO-8
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 1.42 | CHF 1.42 | |
| CHF 1.05 | CHF 10.50 | |
| CHF 0.881 | CHF 22.03 | |
| CHF 0.841 | CHF 84.10 | |
| CHF 0.817 | CHF 204.25 | |
| CHF 0.782 | CHF 391.00 | |
| CHF 0.762 | CHF 762.00 | |
| CHF 0.728 | CHF 1’820.00 | |
| CHF 0.715 | CHF 2’717.00 |
Alternativverpackung
Datenblatt
Application Notes
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- IR2011 and IRS2011 Comparison in Class D Audio Application (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Herstellungsland:
- Thailand
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
Liechtenstein
