IR21271PBF
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Siehe Produktspezifikationen
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942-IR21271PBF
IR21271PBF
Herst.:
Beschreibung:
Gate-Treiber Current Sense 1-CH 600V 200mA 250mV
Gate-Treiber Current Sense 1-CH 600V 200mA 250mV
Lebenszyklus:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 2.87 | CHF 2.87 | |
| CHF 2.33 | CHF 23.30 | |
| CHF 2.22 | CHF 55.50 | |
| CHF 2.10 | CHF 210.00 | |
| CHF 2.05 | CHF 512.50 | |
| CHF 2.02 | CHF 1’010.00 | |
| CHF 1.97 | CHF 1’970.00 | |
| CHF 1.85 | CHF 5’550.00 | |
| CHF 1.84 | CHF 11’040.00 |
Ähnliches Produkt
Datenblatt
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS212(7,8,71) and IR212(7,8,71) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
- Using the Current Sensing IR212x Gate Driver ICs (PDF)
EOL
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
Konformitätscodes
- CNHTS:
- 8542319090
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Ursprungsklassifikationen
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Herstellungsland:
- China
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
